以Ⅲ族、Ⅱ族元素的金属有机化合物和Ⅴ、Ⅵ族元素的氢化物等作为品体生长原材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体及其多元薄层单晶材料的工艺过程。
来源：《发光二极管工厂设计规范 GB51209-2016》